对于传统DRAM未来的发展，如Techinsights所说，到目前为止，我们已经看到了 8F2 和 6F2 DRAM Cell设计，其中 unit cell包括 1T（晶体管）和 1C（电容器）。这种 1T+1C 单元设计将用于未来几代 DRAM 的 DRAM 单元设计。然而，由于工艺和布局的限制，DRAM 厂商一直在开发 4F2 单元结构，例如 1T DRAM 或无电容器 DRAM ...
随着传统DRAM器件的持续缩小，较小尺寸下寄生电容的增加可能会对器件性能产生负面影响，未来可能需要新的DRAM结构来降低总电容，并使器件发挥出合格的性能。本研究比较了6F2蜂窝动态随机 ...
IT之家 8 月 26 日消息，众所周知，现在 NAND 闪存普遍采用 3D 堆叠结构。短短十年内，3D NAND 层数就从 2014 年的 24 层增加到了 SK 海力士的 321 层（2024 年 11 月宣布量产），而我国的长江存储第五代 ...
堆叠层意味着彻底的架构重新思考。 由于通过堆叠200多层实现了单片三维加工工艺，闪存的容量取得了令人惊叹的进步，未来几代产品有望达到1000层。但同样重要的动态随机存取存储器（DRAM ...
几十年来，计算架构一直依赖动态随机存取存储器(DRAM)作为主存储器，来为处理单元提供临时存储，以便检索数据和程序代码。DRAM的高速、高集成度、高性价比和出色的可靠性，促使DRAM技术在 ...
针对平面结构IGZO-DRAM的密度问题，中科院微电子所重点实验室刘明院士团队在2021年及2022年IEDM国际大会报道的垂直环形沟道结构（Channel-All-Around, CAA）IGZO晶体管的基础上，分析了沉积IGZO沟道 ...
近两个月，存储厂商迎来了十多年甚至是二十多年来最美好的时光。 一方面，AI数据中心的需求持续旺盛，HBM依旧供不应求，另一方面，库存见底，整个存储行业迎来上行周期，两个利好要素 ...
面对后HBM时代的竞争格局，国内DRAM企业正在通过技术推进，来探索下一代存储器技术的发展路径，力图在全球存储版图中赢得新的主动权。 去年年末的HBM被禁，像一记重锤，砸在了国内半导体 ...
三季度以来手机终端备货需求走弱，令原厂一大增长引擎熄火，消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端，原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格，继续将手机、PC超过需求计划的部分 ...
美禁HBM促中国转向3D DRAM研发，国内外厂商竞逐。 去年年末的HBM被禁，像一记重锤，砸在了国内半导体产业之上，引发了一场不小的震荡。 去年12月，美国商务部工业和安全局（BIS）正式修订 ...
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